2025年5月22日，小米正式发布了首款自研旗舰芯片“玄戒O1”。这款采用台积电第二代3nm工艺的SoC以“十核架构”和“性能对标苹果A18”等标签引发热议。从2014年澎湃项目立项到如今玄戒O1量产，雷军用十年时间实现了小米的“造芯梦”。这款芯片的真实表现如何？是国产半导体里程碑，还是参数营销的产物？
玄戒O1的纸面参数十分强大：CPU采用2颗3.9GHz Cortex-X925超大核、4颗3.4GHz大核、2颗低频大核和2颗能效核组成的“2+4+2+2”十核架构，在GeekBench 6测试中单核得分2709分、多核得分8125分，超越骁龙8 Gen3（单核2300分），接近联发科天玑9400水平。GPU方面，16核Immortalis-G925设计在《原神》测试中平均帧率与骁龙8 Elite持平，但功耗略高0.2W；在《崩坏三：星穹铁道》中功耗反超，能效表现更优。AI与影像方面，44 TOPS算力的NPU使视频剪辑效率比骁龙机型快20%；第四代自研ISP让夜景视频噪点控制提升20倍，暗部细节优于公版方案。
尽管跑分数据亮眼，但在早期测试中游戏场景的1%最低帧率波动较大，暴露出调度优化不足的问题。
玄戒O1的核心竞争力不仅在于性能，还在于小米的“渐进式技术路线”。该芯片采用台积电3nm工艺（N3E），集成190亿晶体管，能效比4nm骁龙8 Gen3提升35%，首次将国产芯片设计推进至3nm节点。此外，小米采用“自研AP+外挂联发科基带”方案，规避通信专利壁垒，同时降低初期研发风险。通过与澎湃OS、小米汽车深度联动，例如通过手表芯片玄戒T1远程控车，凸显软硬一体优势。
玄戒O1的诞生标志着三大突破：中国大陆企业首次在旗舰SoC领域实现3nm设计，填补高端制程空白；自研芯片预计降低高端机型成本20%-25%，为小米冲击5000元+市场提供底气；带动国产EDA工具、封装测试等环节升级，加速半导体国产化进程。
